UNIJUNCTION TRANSISTOR

A. TUJUAN
[KEMBALI]

Menjelaskan prinsip kerja UJT (Unijunction Transistor Mampu merangkai Rangkaian Osilator Relaksasi dengan UJT (Unijunction Transistor)

B. KOMPONEN
[KEMBALI]

1. Resistor
Hasil gambar untuk resistorResistor merupakan salah satu komponen elektronika pasif yang berfungsi untuk  membatasi arus yang mengalir pada suatu rangkaian dan berfungsi sebagai teminal antara dua komponen elektronika. Tegangan pada suatu resistor sebanding dengan arus yang melewatinya (V = I.R).Umumnya terdapat 4 Gelang di tubuh Resistor, tetapi ada juga yang 5 Gelang.
Gelang warna Emas dan Perak biasanya terletak agak jauh dari gelang warna lainnya sebagai tanda gelang terakhir. Gelang Terakhirnya ini juga merupakan nilai toleransi pada nilai Resistor yang bersangkutan.
Tabel Kode Warna Resistor


2. Dioda




3. Capasitor
Hasil gambar untuk kapasitorKapasitor adalah komponen elektronika yang mempunyai kemampuan menyimpan elektron-elektron selama waktu yang tertentu atau komponen elektronika yang digunakan untuk menyimpan muatan listrik.
cara menghitung nilai kapasitor seperti contoh di bawah ini :
Kode : 473Z
Nilai Kapasitor = 47 x 103
Nilai Kapasitor = 47 x 1000
Nilai Kapasitor = 47.000pF atau 47nF atau 0,047µF
Huruf dibelakang angka menandakan Toleransi dari Nilai Kapasitor tersebut, Berikut adalah daftar Nilai Toleransinya :
B = 0.10pF
                                                      C = 0.25pF
                                                      D = 0.5pF
                                                      E = 0.5%
                                                      F = 1%
                                                      G= 2%
                                                      H = 3%
                                                      J = 5%
                                                      K = 10%
                                                      M = 20%
                                                      Z = + 80% dan -20%

4. Transistor
Hasil gambar untuk transistorTransistor adalah komponen semikonduktor yang memiliki berbagai macam fungsi seperti sebagai penguat, pengendali, penyearah, osilator, modulator dan lain sebagainya. Transistor merupakan salah satu komponen semikonduktor yang paling banyak ditemukan dalam rangkaian-rangkaian elektronika.







5. Ground
 
Hasil gambar untuk gambar groundGrounding atau Pentanahan adalah sistem pentanahan yang terpasang pada suatu instalasi listrik yang bekerja untuk meniadakan beda potensial dengan mengalirkan arus sisa dari kebocoran tegangan atau arus dari sambaran petir ke bumi. 

 







 C. UNIJUNCTION TRANSISTOR
[KEMBALI]

UJT adalah perangkat tiga terminal yang memiliki konstruksi dasar Gambar 21.35.

batang aluminium paduan ke pelat silikon pada titik yang lebih dekat ke kontak basis 2 daripada kontak basis 1 dan bahwa terminal dasar 2 dibuat positif sehubungan dengan terminal basis 1 dengan V BB volt.

Suatu lempengan dari didoping ringan (karakteristik ketahanan lebih tinggi)  yang bahan silikon tipe-n memiliki dua kontak dasar yang melekat pada kedua ujung satu permukaan dan batang aluminium yang dicampur ke permukaan yang berlawanan. P-n perangkat terbentuk pada batas batang aluminium dan n.lempengan silikon tipe tunggal p-n Akunjunction untuk terminologi unijunction.

Simbol untuk transistor unijunction disediakan pada Gambar. 21.36. Perhatikan bahwa kaki emitor ditarik pada sudut ke garis vertikal yang mewakili lempengan material tipe-n. Panah menunjuk ke arah aliran (lubang) arus konvensional saat perangkat dalam keadaan bias maju, aktif, atau konduktor
rangkaian UJT ditunjukkan pada Gambar. 21.37

Dalam bentuk persamaan adalah :
(RBB biasanya dalam kisaran 4 hingga 10 k_.) Posisi batang aluminium Gambar 21.35 akan menentukan nilai relatif RB1 dan RB2 dengan IE= 0. Besarnya VRB1 (dengan IE= 0) ditentukan oleh aturan pembagi tegangan dengan cara berikut

Huruf Yunani (teta) disebut stand-off intrinsik rasioperangkat dan didefinisikan oleh 
Dalam bentuk persamaan,  potensial penembakan emitor diberikan oleh 

Karakteristik dari transistor unijunction yang representatif ditunjukkan untuk VBB=10 V pada Gambar 21.38
Untuk potensi emitor di sebelah kiri titik puncak, besarnya IE tidak pernah lebih besar dari IEO .cut off region.Once konduksi didirikan di VE= VP, potensi emitor VE akan turun dengan peningkatan IE. Sesuai dengan penurunan resistensi RB1 untuk meningkatkan IE. Perangkat memiliki resistensi negatif daerah yang cukup stabil untuk digunakan dengan banyak keandalan di bidang aplikasi. Akhirnya, titik lembah akan tercapai, dan setiap peningkatan lebih lanjut dalam IE akan menempatkan perangkat di wilayah saturasi. Di wilayah ini, karakteristik mendekati dioda semikonduktor dalam rangkaian ekivalen Gambar 21.37. 
Karakteristik emitor sdisediakan pada Gambar. 21.39. Bahwa IEO(µA) tidak ada dalam bukti karena skala horizontal dalam miliampere. Perpotongan setiap kurva dengan sumbu vertikal adalah nilai yang sesuai dari VP.Untuk nilai-nilai tetaP µ dan VD,besarnya VPakan bervariasi sebagai VBB,yaitu.
Spesifikasi untuk UJT disediakan pada Gambar. 21.40b. Terminal dasar saling berseberangan sementara terminal emitor berada di antara keduanya. Terminal pangkalan yang akan diikat ke potensial yang lebih tinggi lebih dekat ke ekstensi pada bibir casing. Salah satu aplikasi yang agak umum dari UJT adalah dalam memicu perangkat lain seperti SCR.


Elemen dasar dari rangkaian pemicu ditunjukkan pada Gambar. 21.41. 
 
Resistor R1 untuk memastikan bahwa garis beban ditentukan oleh R1 melalui karakteristik perangkat di wilayah resistensi negatif, yaitu, ke kanan titik puncak tapi ke kiri dari titik lembah seperti ditunjukkan pada Gambar 21.42.

Jika garis beban gagal melewati ke kanan titik puncak, perangkat tidak dapat hidup. Persamaan untuk R1 yang akan memastikan turn-on kondisi dapat dibentuk jika kita mempertimbangkan titik puncak di mana IR1= IP dan VE= VP.Kemudian V -IR1R1 =VE and R1 =(V-VE)/IR1 =(V -VP)/IP atau untuk memastikan dimatikan maka

 
Kisaran R1 oleh karena itu dibatasi oleh 
Resistansi R2 harus dipilih cukup kecil untuk memastikan bahwa SCR tidak dihidupkan oleh tegangan VR2 dari Gambar 21.43 ketika IE 0 A. Tegangan VR2 kemudian diberikan oleh 

Kapasitor C akan menentukan interval waktu antara pulsa pemicu dan rentang waktu masing-masing pulsa. Pada saat tegangan suplai dc V diterapkan, tegangan Ve=vC akan mengisi ke V volt dari VV seperti ditunjukkan pada Gambar. 21.44 dengan konstanta waktu  ז= R1

Persamaan umum untuk periode pengisian  adalah 

Tegangan pada R2 ditentukan oleh Persamaan. (21.9) selama periode pengisian ini. Ketika Vc= vE= VP, UJT akan memasuki negara konduksi dan kapasitor akan discharge melalui RB1 dan R2 pada tingkat ditentukan oleh waktu constant ז=(RB1= R2)C. Persamaan debit untuk tegangan vC vE adalah sebagai berikut :

Menggunakan pengurangan setara Gambar. 21.45 untuk fase debit akan menghasilkan perkiraan berikut untuk nilai puncak VR
Periode t1 dari Gambar. 21.44 dapat ditentukan dengan cara berikut:  
 
Untuk periode debit waktu antara t1 dan t2 dapat ditentukan dari Persamaan. (21.11) sebagai berikut: 
Menetapkan t1 sebagai t = 0 memberi
 

Periode waktu untuk menyelesaikan satu siklus didefinisikan oleh T pada Gambar 21.44. Yaitu:
Jika SCR dijatuhkan dari konfigurasi, jaringan akan berperilaku sebagai osilator relaksasi, menghasilkan bentuk gelombang dari Gambar 21.44. Frekuensi osilasi ditentukan oleh 
D. PRINSIP KERJA
[KEMBALI]

Saat Tegangan diantara Emitor (E) dan Basis 1 (B1) adalah Nol, UJT tidak menghantarkan arus listrik, Semikonduktor batang yang bertipe N akan berfungsi sebagai penghambat (memiliki resistansi yang tinggi). Namun akan ada sedikit arus bocor yang mengalir karena bias terbalik (reverse bias).
Pada saat tegangan di Emitor (E) dan Basis 1 (B1) dinaikan secara bertahap, resistansi diantara Emitor dan Basis 1 akan berkurang dan arus terbalik (reverse current) juga akan berkurang. Ketika Tegangan Emitor dinaikan hingga ke level bias maju, arus listrik di Emitor akan mengalir. Hal ini dikarenakan Hole pada Semikonduktor yang di doping berat bertipe P mulai memasuki daerah semikonduktor tipe N dan bergabung kembali dengan Elektron yang di Batang Semikonduktor bertipe N (yang di doping ringan). Dengan demikian Uni Junction Transistor atau UJT ini kemudian mulai menghantarkan arus listrik dari B2 ke B1.
 
E. GAMBAR RANGKAIAN
[KEMBALI]

(gambar 1) 

(gambar 2)

(gambar 3)

(gambar 4)

F. VIDEO TUTORIAL
[KEMBALI]


 untuk video 1 lihat di sini

  (video 2)

 untuk video 3 lihat di sini


(video 4)

G. CONTOH SOAL
[KEMBALI]

1. Diberikan osilator relaksasi dari Gambar 21.46: (a) Tentukan RB1 dan RB2 pada IE= 0 A. (b) Hitung VP, tegangan yang diperlukan untuk menyalakan UJT. (c) Tentukan apakah R1 berada dalam kisaran nilai yang diizinkan sebagaimana ditentukan oleh Persamaan. (21.8) untuk memastikan penembakan UJT. (D) Tentukan frekuensi osilasi jika RB1= 100 Ω selama fase debit. (e) Buatlah sketsa bentuk gelombang dari vC untuk siklus penuh. (f) Buat sketsa bentuk gelombang vR2 untuk siklus penuh. 






(b) Pada titik di mana vC=VP, jika kita melanjutkan dengan IE= 0 A, jaringan Gambar 21.47 akan menghasilkan, di mana resistensi R1= 50 kΩ termasuk dalam kisaran ini. 


 
H. LINK DOWNLOAD

[KEMBALI]
1. Materi klik di sini
2.Gambar rangkaian
    a. gambar 1 klik di sini
    b. gambar 2 klik di sini
    c. gambar 3 klik di sini
    d. gambar 4 klik di sini
3. video
    a. gambar 1 klik di sini
    b.gambar 2 klik di sini
    c. gambar 3 klik di sini
    d. gambar 4 klik di sini
4. Simulasi rangkaian proteus
     a. rangkaian 1 klik di sini
     b. rangkaian 2 klik di sini
     c. rangkaian 3 klik di sini
     d. rangkaian 4 klik di sini
5. Datasheet klik di sini



  [KEMBALI]

Tidak ada komentar:

Posting Komentar