DEPLETION TIPE MOSFET
A. TUJUAN
[KEMBALI]
Tujuan dari MOSFET adalah mengontrol Tegangan dan Arus melalui antara Source dan Drain. Komponen ini hampir seluruh nya sebagai switch
B. KOMPONEN
[KEMBALI][KEMBALI]
Tujuan dari MOSFET adalah mengontrol Tegangan dan Arus melalui antara Source dan Drain. Komponen ini hampir seluruh nya sebagai switch
B. KOMPONEN
1. Resistor
Resistor atau hambatan adalah salah satu komponen elektronika yang memiliki nilai hambatan tertentu, dimana hambatan ini akan menghambat arus listrik yang mengalir melaluinya.Umumnya terdapat 4 Gelang di tubuh Resistor, tetapi ada juga yang 5 Gelang.
Gelang warna Emas dan Perak biasanya terletak agak jauh dari gelang warna lainnya sebagai tanda gelang terakhir. Gelang Terakhirnya ini juga merupakan nilai toleransi pada nilai Resistor y
2. Mosfet
MOSFET (Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat
semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai
penguat sinyal pada perangkat elektronik.
C. DEPLETION TYPE MOSFETs
[KEMBALI]
Persamaan Shockley berlaku untuk deplesi-jenis MOSFET hasil dalam persamaan yang sama untuk gm. Model ekivalen ac untuk D-MOSFET persis sama dengan yang digunakan untuk JFET seperti yang ditunjukkan pada Gambar 9.33
Satu-satunya perbedaan yang ditawarkan oleh D-MOSFET
adalah bahwa VGSQ dapat
positif untuk nperangkat-channel dan negatif untuk punit-channel.
Hasilnya adalah bahwa gm dapat
lebih besar dari gm0 seperti
yang ditunjukkan oleh contoh untuk diikuti. Kisaran rd sangat
mirip dengan yang dihadapi untuk JFET.
D. PRINSIP KERJA
[KEMBALI]
Kerja MOSFET bergantung pada kapasitas MOS. Kapasitas MOS adalah bagian utama dari MOSFET. Permukaan semikonduktor pada lapisan oksida di bawah yang terletak di antara terminal sumber dan saluran pembuangan. Hal ini dapat dibalik dari tipe-p ke n-type dengan menerapkan tegangan gerbang positif atau negatif masing-masing. Ketika kita menerapkan tegangan gerbang positif, lubang yang ada di bawah lapisan oksida dengan gaya dan beban didorong ke bawah dengan substrat.
Daerah penipisan dihuni oleh muatan negatif terikat yang terkait dengan atom akseptor. Elektron mencapai saluran terbentuk. Tegangan positif juga menarik elektron dari sumber n dan mengalirkan daerah ke saluran. Jika voltase diterapkan antara saluran pembuangan dan sumber, arus mengalir bebas antara sumber dan saluran pembuangan dan tegangan gerbang mengendalikan elektron di saluran. Alih-alih tegangan positif jika kita menerapkan tegangan negatif, saluran lubang akan terbentuk di bawah lapisan oksida.
E. GAMBAR RANGKAIAN
[KEMBALI]
F. VIDEO TUTORIAL
[KEMBALI]
G. CONTOH SOAL
[KEMBALI]
1. Jaringan Gambar 9.34 dianalisis sebagai Contoh 6.8, menghasilkan VGSQ= 0,35 V dan IDQ= 7,6 mA. (a) Tentukan gm dan dibandingkan dengan gm0.(b) Temukan rd. (c) Buat sketsa jaringan setara ac untuk Gambar 9.34. (d) Temukan Zi . (e) Hitung Zo. (f) Temukan Av
H. LINK DOWNLOAD
[KEMBALI]
1. Materi klik di sini
2. Gambar rangkaian klik di sini
3. Video tutorial klik di sini
4. Simulasi proteusklik di sini
5. Datasheet klik di sini
[KEMBALI]
Persamaan Shockley berlaku untuk deplesi-jenis MOSFET hasil dalam persamaan yang sama untuk gm. Model ekivalen ac untuk D-MOSFET persis sama dengan yang digunakan untuk JFET seperti yang ditunjukkan pada Gambar 9.33
D. PRINSIP KERJA
[KEMBALI]
Kerja MOSFET bergantung pada kapasitas MOS. Kapasitas MOS adalah bagian utama dari MOSFET. Permukaan semikonduktor pada lapisan oksida di bawah yang terletak di antara terminal sumber dan saluran pembuangan. Hal ini dapat dibalik dari tipe-p ke n-type dengan menerapkan tegangan gerbang positif atau negatif masing-masing. Ketika kita menerapkan tegangan gerbang positif, lubang yang ada di bawah lapisan oksida dengan gaya dan beban didorong ke bawah dengan substrat.
Daerah penipisan dihuni oleh muatan negatif terikat yang terkait dengan atom akseptor. Elektron mencapai saluran terbentuk. Tegangan positif juga menarik elektron dari sumber n dan mengalirkan daerah ke saluran. Jika voltase diterapkan antara saluran pembuangan dan sumber, arus mengalir bebas antara sumber dan saluran pembuangan dan tegangan gerbang mengendalikan elektron di saluran. Alih-alih tegangan positif jika kita menerapkan tegangan negatif, saluran lubang akan terbentuk di bawah lapisan oksida.
E. GAMBAR RANGKAIAN
[KEMBALI]
F. VIDEO TUTORIAL
[KEMBALI]
G. CONTOH SOAL
[KEMBALI]
1. Jaringan Gambar 9.34 dianalisis sebagai Contoh 6.8, menghasilkan VGSQ= 0,35 V dan IDQ= 7,6 mA. (a) Tentukan gm dan dibandingkan dengan gm0.(b) Temukan rd. (c) Buat sketsa jaringan setara ac untuk Gambar 9.34. (d) Temukan Zi . (e) Hitung Zo. (f) Temukan Av
(c) Lihat Gambar 9.35. Perhatikan kemiripan dengan jaringan pada
Gambar 9.23. Oleh karena itu,berlaku
H. LINK DOWNLOAD
[KEMBALI]
1. Materi klik di sini
2. Gambar rangkaian klik di sini
3. Video tutorial klik di sini
4. Simulasi proteusklik di sini
5. Datasheet klik di sini
Tidak ada komentar:
Posting Komentar